Supplier Device Package:
Current - Average Rectified (Io):
Current - Reverse Leakage @ Vr:
Capacitance @ Vr, F:
Reverse Recovery Time (trr):
Operating Temperature - Junction:
Изображение Часть Производитель Описание Минимальный заказ Запас Действие
QH12TZ600Q Power Integrations
AEC-Q101 600V 12A H SE...
1
RFQ
500
In-stock
Получить предложение
QH12TZ600 Power Integrations
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
4
In-stock
Получить предложение
QH12BZ600 Power Integrations
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
50,000
In-stock
Получить предложение
UGF12JD C0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
50,000
In-stock
Получить предложение
UGF12JDHC0G Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
50,000
In-stock
Получить предложение
UGF12JDH Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
50,000
In-stock
Получить предложение
UGF12JD Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600...
1
RFQ
50,000
In-stock
Получить предложение
1 / 1 Page, 7 Records