- Производитель：
-
- Product Status：
-
- Operating Temperature：
-
- Package / Case：
-
- Diode Type：
-
- Capacitance @ Vr, F：
-
- Power Dissipation (Max)：
-
14 Рекорды
| Изображение | Часть | Производитель | Описание | Минимальный заказ | Запас | Действие | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE SCHOTTK... |
1 |
3,005
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Rochester Electronics, LLC | SBD SERIES 35MA 10V |
1 |
195,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Toshiba Semiconductor and Storage | RF DIODE STANDAR... |
1 |
528
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | SI NOISE HERMETI... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | SI NOISE NON HERM... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | SI NOISE NON HERM... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение | ||
|
|
Microchip Technology | GAAS GUNN EPI DOW... |
1 |
50,000
In-stock
|
Получить предложение |
