TRS12N65FB,S1Q

Изготовитель Деталь №
TRS12N65FB,S1Q
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Массивы
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
6A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
30 µA @ 650 V
Diode Configuration :
1 Pair Common Cathode
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
175°C
Package / Case :
TO-247-3
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.6 V @ 6 A
Спецификации
TRS12N65FB,S1Q

Товары, связанные с производителем

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM ESV PAC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.5VWM SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM SL2-2

Каталог сопутствующих товаров