G4S06530BT

Изготовитель Деталь №
G4S06530BT
Производитель
Global Power Technology-GPT
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PI
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Global Power Technology-GPT
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Массивы
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
39A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 650 V
Diode Configuration :
1 Pair Common Cathode
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-247-3
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-247AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7 V @ 15 A
Спецификации
G4S06530BT

Товары, связанные с производителем

  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI

Каталог сопутствующих товаров