OPA659IDRBT

Изготовитель Деталь №
OPA659IDRBT
Производитель
Texas Instruments
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SON
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Texas Instruments
категория продукта :
Линейные - Усилители - Инструментальные, ОУ, Буферные Усилители
-3db Bandwidth :
650 MHz
Amplifier Type :
J-FET
Current - Input Bias :
10 pA
Current - Output / Channel :
70 mA
Current - Supply :
32mA
Gain Bandwidth Product :
350 MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Circuits :
1
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C
Output Type :
-
Package / Case :
8-VDFN Exposed Pad
Product Status :
Active
Slew Rate :
2550V/µs
Supplier Device Package :
8-SON (3x3)
Voltage - Input Offset :
1 mV
Voltage - Supply Span (Max) :
13 V
Voltage - Supply Span (Min) :
7 V
Спецификации
OPA659IDRBT

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Diodes Incorporated
    IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT25
  • onsemi
    IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
  • Diodes Incorporated
    IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT25
  • STMicroelectronics
    IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO
  • STMicroelectronics
    IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC