CLS10F40,L3F

Изготовитель Деталь №
CLS10F40,L3F
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SS SCHOTTKY BARRIER DIODE, HIGH-
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
25 µA @ 40 V
Diode Type :
Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
150°C
Package / Case :
0402 (1006 Metric)
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
CL2E
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
570 mV @ 1 A
Спецификации
CLS10F40,L3F

Товары, связанные с производителем

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM ESV PAC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.5VWM SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM SL2-2

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE