P3D06010E2

Изготовитель Деталь №
P3D06010E2
Производитель
PN Junction Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO252-2
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
PN Junction Semiconductor
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
28A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
44 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
-
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-2
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
-
Спецификации
P3D06010E2

Товары, связанные с производителем

  • PN Junction Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
  • PN Junction Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2
  • PN Junction Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220I-2
  • PN Junction Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220F-2
  • PN Junction Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE