IV1D12005O2

Изготовитель Деталь №
IV1D12005O2
Производитель
Inventchip
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SIC DIODE, 1200V 5A, TO-220-2
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Inventchip
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
320pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
17A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
30 µA @ 1200 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8 V @ 5 A
Спецификации
IV1D12005O2

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE