JANTXV1N6628

Изготовитель Деталь №
JANTXV1N6628
Производитель
Microchip Technology
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Microchip Technology
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
1.75A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
2 µA @ 660 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-65°C ~ 150°C
Package / Case :
E, Axial
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
30 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
660 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.35 V @ 2 A
Спецификации
JANTXV1N6628

Товары, связанные с производителем

  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE