G5S6504Z

Изготовитель Деталь №
G5S6504Z
Производитель
Global Power Technology-GPT
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A DFN5*
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Global Power Technology-GPT
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
181pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
15.45A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
8-PowerTDFN
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
8-DFN (4.9x5.75)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.6 V @ 4 A
Спецификации
G5S6504Z

Товары, связанные с производителем

  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 650V 12A 3-PI
  • Global Power Technology-GPT
    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 4A 3-PI

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE