1N8034-GA

Изготовитель Деталь №
1N8034-GA
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
GeneSiC Semiconductor
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
1107pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
9.4A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 250°C
Package / Case :
TO-257-3
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-257
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.34 V @ 10 A
Спецификации
1N8034-GA

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE