GB10SLT12-252

Изготовитель Деталь №
GB10SLT12-252
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
GeneSiC Semiconductor
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
520pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
10A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
250 µA @ 1200 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-252
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2 V @ 10 A
Спецификации
GB10SLT12-252

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE