BFR182E-6327
- Изготовитель Деталь №
- BFR182E-6327
- Производитель
- Rochester Electronics, LLC
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- RF N-CHANNEL MOSFET
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Rochester Electronics, LLC
- категория продукта :
- Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 35mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 70 @ 10mA, 8V
- Frequency - Transition :
- 8GHz
- Gain :
- 9.5dB
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Noise Figure (dB Typ @ f) :
- 1.3dB @ 1.8GHz
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Power - Max :
- 250mW
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- SOT-23
- Transistor Type :
- NPN
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 12V
- Спецификации
- BFR182E-6327