RN2118MFV(TPL3)

Изготовитель Деталь №
RN2118MFV(TPL3)
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные
Current - Collector (Ic) (Max) :
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
SOT-723
Power - Max :
150 mW
Product Status :
Active
Resistor - Base (R1) :
47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
Supplier Device Package :
VESM
Transistor Type :
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50 V
Спецификации
RN2118MFV(TPL3)

Товары, связанные с производителем

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM ESV PAC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.5VWM SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM SL2-2

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    0.1A, 40V, PNP, TO-92
  • Rochester Electronics, LLC
    0.1A, 50V, PNP
  • Rochester Electronics, LLC
    0.1A, 50V, PNP, TO-92