RN1112ACT(TPL3)
- Изготовитель Деталь №
- RN1112ACT(TPL3)
- Производитель
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Toshiba Semiconductor and Storage
- категория продукта :
- Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 80 mA
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 100nA (ICBO)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 120 @ 1mA, 5V
- Frequency - Transition :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Package / Case :
- SC-101, SOT-883
- Power - Max :
- 100 mW
- Product Status :
- Active
- Resistor - Base (R1) :
- 22 kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) :
- -
- Supplier Device Package :
- CST3
- Transistor Type :
- NPN - Pre-Biased
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- 150mV @ 250µA, 5mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 50 V
- Спецификации
- RN1112ACT(TPL3)
