TSM300NB06DCR RLG

Изготовитель Деталь №
TSM300NB06DCR RLG
Производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1079pF @ 30V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerTDFN
Power - Max :
2W (Ta), 40W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Спецификации
TSM300NB06DCR RLG

Товары, связанные с производителем

  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 5VWM 15VC SOT26
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMC
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMC
  • Taiwan Semiconductor Corporation
    TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC

Каталог сопутствующих товаров

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT