TSM300NB06DCR RLG
- Изготовитель Деталь №
- TSM300NB06DCR RLG
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Taiwan Semiconductor Corporation
- категория продукта :
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 6A (Ta), 25A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 17nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1079pF @ 30V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerTDFN
- Power - Max :
- 2W (Ta), 40W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 30mOhm @ 6A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-PDFN (5x6)
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4.5V @ 250µA
- Спецификации
- TSM300NB06DCR RLG