
2N7002KDW_R1_00001
- Изготовитель Деталь №
- 2N7002KDW_R1_00001
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Panjit International Inc.
- категория продукта :
- Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 115mA (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 0.8nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 35pF @ 25V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Power - Max :
- 200mW (Ta)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 3Ohm @ 500mA, 10V
- Supplier Device Package :
- SOT-363
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 250µA
- Спецификации
- 2N7002KDW_R1_00001