QH8MA2TCR

Изготовитель Деталь №
QH8MA2TCR
Производитель
Rohm Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rohm Semiconductor
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
365pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-SMD, Flat Lead
Power - Max :
1.25W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package :
TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Спецификации
QH8MA2TCR

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT