SIZ730DT-T1-GE3

Изготовитель Деталь №
SIZ730DT-T1-GE3
Производитель
Vishay Siliconix
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Vishay Siliconix
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
16A, 35A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
830pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
6-PowerPair™
Power - Max :
27W, 48W
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package :
6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Спецификации
SIZ730DT-T1-GE3

Товары, связанные с производителем

  • Vishay Siliconix
    IC AUDIO JACK DETECTOR MINIQFN
  • Vishay Siliconix
    IC AMP/VIDEO/MUX LP 4/8CH 20DIP
  • Vishay Siliconix
    IC AMP/VIDEO/MUX LP 4/8CH 20PLCC
  • Vishay Siliconix
    REF BRD MICROBUCK SIC463
  • Vishay Siliconix
    IC AMP/VIDEO/MUX LP 2CH 28DIP

Каталог сопутствующих товаров

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT