FBG20N04AC

Изготовитель Деталь №
FBG20N04AC
Производитель
EPC Space
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
GAN FET HEMT200V 4A COTS 4FSMD-A
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
EPC Space
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 100V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
4-SMD, No Lead
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130mOhm @ 4A, 5V
Supplier Device Package :
4-SMD
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Спецификации
FBG20N04AC

Товары, связанные с производителем

  • EPC Space
    BD DEMO FBG20N18/GAM01P-C-PSE
  • EPC Space
    BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
  • EPC Space
    BD DEMO FBG04N30/GAM01P-C-PSE
  • EPC Space
    EVAL POL GAM02-PC50/GAM02A-P-C50
  • EPC Space
    EVAL 3PHS MOTOR CNTRL GAM02

Каталог сопутствующих товаров

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT