WAB300M12BM3

Изготовитель Деталь №
WAB300M12BM3
Производитель
Wolfspeed, Inc.
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Wolfspeed, Inc.
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
382A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
FET Type :
2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
908nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
24500pF @ 1000V
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
-
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2mOhm @ 300A, 15V
Supplier Device Package :
Module
Vgs(th) (Max) @ Id :
3.6V @ 92mA
Спецификации
WAB300M12BM3

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT