IGN1011L1200
- Изготовитель Деталь №
- IGN1011L1200
- Производитель
- Integra Technologies Inc.
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- Integra Technologies Inc.
- категория продукта :
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF
- Current - Test :
- 160 mA
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Gain :
- 16.8dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- PL84A1
- Power - Output :
- 1250W
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- PL84A1
- Transistor Type :
- HEMT
- Voltage - Rated :
- 180 V
- Voltage - Test :
- 50 V
- Спецификации
- IGN1011L1200