IGN1011L1200

Изготовитель Деталь №
IGN1011L1200
Производитель
Integra Technologies Inc.
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Integra Technologies Inc.
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - RF
Current - Test :
160 mA
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain :
16.8dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
PL84A1
Power - Output :
1250W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PL84A1
Transistor Type :
HEMT
Voltage - Rated :
180 V
Voltage - Test :
50 V
Спецификации
IGN1011L1200

Товары, связанные с производителем

  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND
  • Integra Technologies Inc.
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND

Каталог сопутствующих товаров