R6018VNXC7G

Изготовитель Деталь №
R6018VNXC7G
Производитель
Rohm Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rohm Semiconductor
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V, 15V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1250 pF @ 100 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) :
61W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
204mOhm @ 4A, 15V
Supplier Device Package :
TO-220FM
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id :
6.5V @ 600µA
Спецификации
R6018VNXC7G

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров