FB180SA10

Изготовитель Деталь №
FB180SA10
Производитель
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
10700 pF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SOT-227-4, miniBLOC
Power Dissipation (Max) :
480W (Tc)
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5mOhm @ 108A, 10V
Supplier Device Package :
SOT-227
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Спецификации
FB180SA10

Товары, связанные с производителем

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AC
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5.5VWM 18VC CLP0603
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5.5VWM 11VC CLP0603
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 1VWM 6.9VC SOD523
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 20VWM 32.4VC MICROSMP

Каталог сопутствующих товаров