FS75R12W2T7B11BOMA1

Изготовитель Деталь №
FS75R12W2T7B11BOMA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MOD 1200V 75A
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) :
65 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
13 µA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
15.1 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
20 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.55V @ 15V, 75A (Typ)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
FS75R12W2T7B11BOMA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров