FII30-12E

Изготовитель Деталь №
FII30-12E
Производитель
IXYS
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
IXYS
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Массивы
Configuration :
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) :
33 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
200 µA
IGBT Type :
NPT
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
1.2 nF @ 25 V
Mounting Type :
Through Hole
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
i4-Pac™-5
Power - Max :
150 W
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
ISOPLUS i4-PAC™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
FII30-12E

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров