IKD15N60RC2ATMA1

Изготовитель Деталь №
IKD15N60RC2ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IKD15N60RC2ATMA1
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
45 A
Gate Charge :
72 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max :
115.4 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
129 ns
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Switching Energy :
570µJ (on), 350µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
18ns/374ns
Test Condition :
400V, 15A, 49Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
Спецификации
IKD15N60RC2ATMA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL