APT50GN60BDQ3G

Изготовитель Деталь №
APT50GN60BDQ3G
Производитель
Microchip Technology
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Microchip Technology
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
107 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
150 A
Gate Charge :
325 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Power - Max :
366 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
35 ns
Supplier Device Package :
TO-247-3
Switching Energy :
1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
20ns/230ns
Test Condition :
400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
Спецификации
APT50GN60BDQ3G

Товары, связанные с производителем

  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL