RJP60F4DPM-00#T1

Изготовитель Деталь №
RJP60F4DPM-00#T1
Производитель
Renesas Electronics America Inc
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Renesas Electronics America Inc
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
-
Gate Charge :
-
IGBT Type :
Trench
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3 Full Pack
Power - Max :
41.2 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
TO-3PFM
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
45ns/70ns
Test Condition :
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
1.82V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
Спецификации
RJP60F4DPM-00#T1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL