APT50GT60BRDQ2G

Изготовитель Деталь №
APT50GT60BRDQ2G
Производитель
Microchip Technology
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT 600V 110A 446W TO247
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Microchip Technology
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
110 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
150 A
Gate Charge :
240 nC
IGBT Type :
NPT
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Power - Max :
446 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
22 ns
Supplier Device Package :
TO-247 [B]
Switching Energy :
995µJ (on), 1070µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
14ns/240ns
Test Condition :
400V, 50A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
Спецификации
APT50GT60BRDQ2G

Товары, связанные с производителем

  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL