RGT16TM65DGC9

Изготовитель Деталь №
RGT16TM65DGC9
Производитель
Rohm Semiconductor
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
FIELD STOP TRENCH IGBT
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rohm Semiconductor
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
24 A
Gate Charge :
21 nC
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3 Full Pack
Power - Max :
22 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
42 ns
Supplier Device Package :
TO-220NFM
Switching Energy :
-
Td (on/off) @ 25°C :
13ns/33ns
Test Condition :
400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
Спецификации
RGT16TM65DGC9

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL