IKP30N65H5XKSA1

Изготовитель Деталь №
IKP30N65H5XKSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
55 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
90 A
Gate Charge :
70 nC
IGBT Type :
Trench
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
188 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
51 ns
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Switching Energy :
280µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
19ns/177ns
Test Condition :
400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
650 V
Спецификации
IKP30N65H5XKSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL