IGD01N120H2BUMA1

Изготовитель Деталь №
IGD01N120H2BUMA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
3.2 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
3.5 A
Gate Charge :
8.6 nC
IGBT Type :
-
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max :
28 W
Product Status :
Last Time Buy
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-11
Switching Energy :
140µJ
Td (on/off) @ 25°C :
13ns/370ns
Test Condition :
800V, 1A, 241Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
IGD01N120H2BUMA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 11.4A, 600V, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL
  • Rochester Electronics, LLC
    IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL