3N206

Изготовитель Деталь №
3N206
Производитель
Rochester Electronics, LLC
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics, LLC
категория продукта :
Транзисторы - JFET
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
3 mA @ 15 V
Current Drain (Id) - Max :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25 V
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
0.03pF @ 15V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 175°C (TA)
Package / Case :
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Power - Max :
360 mW
Product Status :
Active
Resistance - RDS(On) :
17 mOhms
Supplier Device Package :
TO-72
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
500 mV @ 20 µA
Спецификации
3N206

Товары, связанные с производителем

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Каталог сопутствующих товаров