WNSC12650T6J
- Изготовитель Деталь №
- WNSC12650T6J
- Производитель
- WeEn Semiconductors
- Пакет/кейс
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Запас:
- В наличии
Запросить предложение (RFQ)
- * Эл. почта:
- * Наименование:
- * Количество, шт):
- * Капча:
-
- Производитель :
- WeEn Semiconductors
- категория продукта :
- Диоды - Выпрямители - Одиночные
- Capacitance @ Vr, F :
- 328pF @ 1V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io) :
- 12A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 60 µA @ 650 V
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- 175°C
- Package / Case :
- 4-VSFN Exposed Pad
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 0 ns
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- 5-DFN (8x8)
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.8 V @ 12 A
- Спецификации
- WNSC12650T6J