WNSC08650T6J

Изготовитель Деталь №
WNSC08650T6J
Производитель
WeEn Semiconductors
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
WeEn Semiconductors
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
8A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
175°C (Max)
Package / Case :
4-VSFN Exposed Pad
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
5-DFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7 V @ 8 A
Спецификации
WNSC08650T6J

Товары, связанные с производителем

  • WeEn Semiconductors
    THE ESDHD05UF IS DESIGNED TO PRO
  • WeEn Semiconductors
    THE ESDALD05UE2 IS A LOW CAPACIT
  • WeEn Semiconductors
    THE ESDALD05UD4 IS DESIGNED TO P
  • WeEn Semiconductors
    THE ESDALD05UG4 IS A LOW CAPACIT
  • WeEn Semiconductors
    THE ESDALD05UJ2 IS A LOW CAPACIT

Каталог сопутствующих товаров

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
  • Diodes Incorporated
    DIODE SBR 60V 900MA SOT23-3
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
  • Micro Commercial Co
    DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AC
  • onsemi
    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323HE