RN2911,LXHF(CT

Изготовитель Деталь №
RN2911,LXHF(CT
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
Current - Collector Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition :
200MHz
Mounting Type :
Surface Mount
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max :
200mW
Product Status :
Active
Resistor - Base (R1) :
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) :
-
Supplier Device Package :
US6
Transistor Type :
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
50V
Спецификации
RN2911,LXHF(CT

Товары, связанные с производителем

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM ESV PAC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.5VWM SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM SL2-2

Каталог сопутствующих товаров

  • onsemi
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
  • onsemi
    TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
  • Rohm Semiconductor
    TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
  • Rochester Electronics, LLC
    TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
  • Rochester Electronics, LLC
    TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59