BFP196WE6327

Изготовитель Деталь №
BFP196WE6327
Производитель
Rochester Electronics, LLC
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics, LLC
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition :
7.5GHz
Gain :
12.5dB ~ 19dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-82A, SOT-343
Power - Max :
700mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PG-SOT343-4
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V
Спецификации
BFP196WE6327

Товары, связанные с производителем

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR