4MN10CH-TL-E

Изготовитель Деталь №
4MN10CH-TL-E
Производитель
Rochester Electronics, LLC
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
BIP NPN 0.1A 200V
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics, LLC
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
60 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition :
400MHz
Gain :
-
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
-
Package / Case :
SC-96
Power - Max :
600mW
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
3-CPH
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
200V
Спецификации
4MN10CH-TL-E

Товары, связанные с производителем

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR