BFR843EL3E6327XTSA1

Изготовитель Деталь №
BFR843EL3E6327XTSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
55mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
-
Frequency - Transition :
-
Gain :
25.5dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
3-XFDFN
Power - Max :
125mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
PG-TSLP-3-10
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
2.6V
Спецификации
BFR843EL3E6327XTSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR