2SC5084-O(TE85L,F)

Изготовитель Деталь №
2SC5084-O(TE85L,F)
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMINI
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
80mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition :
7GHz
Gain :
11dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.1dB @ 1GHz
Operating Temperature :
125°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max :
150mW
Product Status :
Last Time Buy
Supplier Device Package :
S-Mini
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V
Спецификации
2SC5084-O(TE85L,F)

Товары, связанные с производителем

  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM ESV PAC
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 3.5VWM SL2
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TVS DIODE 5VWM SL2-2

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR