NE85619-T1-A

Изготовитель Деталь №
NE85619-T1-A
Производитель
Flip Electronics
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Flip Electronics
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 7mA, 3V
Frequency - Transition :
4.5GHz
Gain :
9dB
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.2dB @ 1GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SOT-523
Power - Max :
125mW
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
SOT-523
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V
Спецификации
NE85619-T1-A

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR