NTE2633

Изготовитель Деталь №
NTE2633
Производитель
NTE Electronics, Inc
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
T-NPN SI VIDEO DR 1GHZ TO-126
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
NTE Electronics, Inc
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
300mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition :
1.2GHz
Gain :
-
Mounting Type :
Through Hole
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
175°C (TJ)
Package / Case :
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max :
3W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-126
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
95V
Спецификации
NTE2633

Товары, связанные с производителем

  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 24V 32.51X26.92MM PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 240V 32.51X26.92 PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 120V 32.51X26.92 PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 12V 32.51X26.92MM PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BATT CHG USB PWR PK 4.8-5.25V 1A

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR