MX0912B351Y

Изготовитель Деталь №
MX0912B351Y
Производитель
Rochester Electronics, LLC
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics, LLC
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
21A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
-
Frequency - Transition :
1.215GHz
Gain :
8dB
Mounting Type :
Chassis Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
200°C (TJ)
Package / Case :
SOT-439A
Power - Max :
960W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
CDFM2
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
20V
Спецификации
MX0912B351Y

Товары, связанные с производителем

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR