FH105A-TR-E

Изготовитель Деталь №
FH105A-TR-E
Производитель
onsemi
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
onsemi
категория продукта :
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
Current - Collector (Ic) (Max) :
30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
0.95 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition :
8GHz
Gain :
10dB @ 1.5GHz
Mounting Type :
Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
1.4dB @ 1.5GHz
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max :
150mW
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
6-MCP
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
10V
Спецификации
FH105A-TR-E

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • Rochester Electronics, LLC
    RF N-CHANNEL MOSFET
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR
  • Rochester Electronics, LLC
    LOW-NOISE TRANSISTOR