2N2102

Изготовитель Деталь №
2N2102
Производитель
NTE Electronics, Inc
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
TRANS NPN 65V 1A TO39
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
NTE Electronics, Inc
категория продукта :
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
1 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition :
-
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
175°C (TJ)
Package / Case :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max :
1 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
TO-39
Transistor Type :
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
500mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
65 V
Спецификации
2N2102

Товары, связанные с производителем

  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 24V 32.51X26.92MM PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 240V 32.51X26.92 PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 120V 32.51X26.92 PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BUZZER 12V 32.51X26.92MM PNL MNT
  • NTE Electronics, Inc
    BATT CHG USB PWR PK 4.8-5.25V 1A

Каталог сопутствующих товаров