NXH35C120L2C2SG

Изготовитель Деталь №
NXH35C120L2C2SG
Производитель
onsemi
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
onsemi
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
Three Phase Inverter with Brake
Current - Collector (Ic) (Max) :
35 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
250 µA
IGBT Type :
-
Input :
Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
8.33 nF @ 20 V
Mounting Type :
Through Hole
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Power - Max :
20 mW
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
26-DIP
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
NXH35C120L2C2SG

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров