APTGT50SK170T1G

Изготовитель Деталь №
APTGT50SK170T1G
Производитель
Microchip Technology
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Microchip Technology
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
75 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
250 µA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
4.4 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SP1
Power - Max :
312 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
SP1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1700 V
Спецификации
APTGT50SK170T1G

Товары, связанные с производителем

  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP
  • Microchip Technology
    SI CAPACITOR NON HERMETIC CHIP

Каталог сопутствующих товаров