MKI50-12F7

Изготовитель Деталь №
MKI50-12F7
Производитель
IXYS
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
IXYS
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
Full Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
65 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
700 µA
IGBT Type :
NPT
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
3.3 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case :
E2
Power - Max :
350 W
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
E2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
3.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
MKI50-12F7

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров