BSM50GP120BOSA1

Изготовитель Деталь №
BSM50GP120BOSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/кейс
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MODULE 1200V 50A
Запас:
В наличии

Запросить предложение (RFQ)

* Эл. почта:
* Наименование:
* Количество, шт):
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
3 Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) :
80 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
500 µA
IGBT Type :
-
Input :
Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
3.3 pF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C
Package / Case :
Module
Power - Max :
-
Product Status :
Not For New Designs
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.55V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Спецификации
BSM50GP120BOSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров